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　　DDR（雙數據速率）DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統。采用IC或2.5V穩壓器電壓內存1.8V,需要等于穩壓器電壓的參考電壓（VREF=VDD/2）。此外,每個邏輯輸出連接到一個電阻,和DDR（雙數據速率）DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統。采用IC或2.5V穩壓器電壓內存1.8V,需要等于穩壓器電壓的參考電壓（VREF=VDD/2）。此外,每個邏輯輸出連接到一個電阻,等于和跟蹤的VREF電壓VTT。同時,VTT = VREF + 0.04v必須提供源的電流源或匯。圖1顯示了提供終端電壓1.8V和2.5V兩個記憶系統的電路,可以輸出高達6A的電流。IC1具有降壓控制器和2線性穩壓器。IC1的輸入電壓為4.5 ~ 28V。200khz IC1的固定頻率PWM控制器提供源和-中國工業電器網]吸收工業電網電流保持輸出電壓。源電流等于最大吸收電流,但沒有電流限制吸收功能。當IC1吸收電流,有電流返回穩壓器輸入。為了實現跟蹤功能,一為IC1的附加線性穩壓器控制器被配置為一個反相放大器。該放大器比較VDD / 2（由R1和R2產生）從IC1的VREF來產生一個誤差信號是通過R3 IC1的FB引腳,這迫使VOUT跟蹤VDD的/ 2。為了實現高精度的跟蹤,一個10mA的負載電阻R4,用于反相放大電路提供偏置。當VDD 1 ~ 4V,輸出可以跟蹤D / 2 VD。圖1的電路可以為DDR同步DRAM產生端電壓。